是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | TO-5 |
包装说明: | TO-5, 3 PIN | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 5.27 |
外壳连接: | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC): | 0.5 A |
集电极-发射极最大电压: | 100 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 20 | JEDEC-95代码: | TO-5 |
JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 200 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | NPN |
最大功率耗散 (Abs): | 1 W | 认证状态: | Qualified |
参考标准: | MIL-19500/366 | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 最大关闭时间(toff): | 1150 ns |
最大开启时间(吨): | 115 ns |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
JAN2N3499U4 | MICROSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), NPN, | |
JAN2N3500 | MICROSEMI |
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NPN SILICON TRANSISTOR | |
JAN2N3500L | MICROSEMI |
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NPN SILICON TRANSISTOR | |
JAN2N3501 | MICROSEMI |
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NPN SILICON TRANSISTOR | |
JAN2N3501L | MICROSEMI |
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NPN SILICON TRANSISTOR | |
JAN2N3501U4 | MICROSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), NPN, | |
JAN2N3501UB | MICROSEMI |
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RADIATION HARDENED NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR | |
JAN2N3506 | MICROSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205, S | |
JAN2N3506A | MICROSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, HE | |
JAN2N3506AL | ETC |
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BJT |