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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.61 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 配置： | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JESD-609代码： | e0 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W | 认证状态： | Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN2N3500 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN SILICON TRANSISTOR |
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| JAN2N3500L | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN SILICON TRANSISTOR |
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| JAN2N3501 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN SILICON TRANSISTOR |
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| JAN2N3501L | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN SILICON TRANSISTOR |
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| JAN2N3501U4 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), NPN, |
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| JAN2N3501UB | MICROSEMI |
获取价格 |
RADIATION HARDENED NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR |
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| JAN2N3506 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205, S |
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| JAN2N3506A | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, HE |
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| JAN2N3506AL | ETC |
获取价格 |
BJT |
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| JAN2N3506AU4 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HERMETIC |
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