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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.49 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.3 A | 配置： | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JESD-609代码： | e0 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W | 认证状态： | Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN2N3501UB | MICROSEMI |
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RADIATION HARDENED NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR |
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| JAN2N3506 | MICROSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205, S |
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| JAN2N3506A | MICROSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, HE |
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| JAN2N3506AL | ETC |
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BJT |
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| JAN2N3506AU4 | MICROSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HERMETIC |
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| JAN2N3506L | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-5 |
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| JAN2N3507 | VISHAY |
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Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205AD, |
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| JAN2N3507 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205, S |
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| JAN2N3507A | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, HE |
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| JAN2N3507AL | ETC |
获取价格 |
BJT |
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