5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > JAN2N3498
JAN2N3498 PDF预览

JAN2N3498

更新时间： 2024-09-22 22:51:43
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 63K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

JAN2N3498 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：BCY
包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.2
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：100 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：15JEDEC-95代码：TO-205AD
JESD-30 代码：O-MBCY-W3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：175 °C封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：1 W认证状态：Qualified
参考标准：MIL-19500/366K子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
最大关闭时间（toff）：1150 ns最大开启时间（吨）：115 ns
Base Number Matches：1

JAN2N3498 数据手册

 浏览型号JAN2N3498的Datasheet PDF文件第2页 
TECHNICAL DATA  
NPN SILICON TRANSISTOR  
Qualified per MIL-PRF-19500/ 366  
Devices  
Qualified Level  
JAN  
2N3498  
2N3499  
2N3500  
2N3501  
JANTX  
2N3498L  
2N3499L  
2N3500L  
2N3501L  
JANTXV  
JANS  
MAXIMUM RATINGS  
2N3498* 2N3500*  
Ratings  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Symbol 2N3499* 2N3501*  
Unit  
Vdc  
100  
100  
6.0  
150  
150  
6.0  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Vdc  
Vdc  
TO-5*  
500  
300  
mAdc  
@ TA = 250C (1)  
@ TC = 250C (2)  
1.0  
5.0  
W
W
0C  
2N3498L, 2N3499L  
2N3500L, 2N3501L  
Total Power Dissipation  
PT  
Operating & Storage Junction Temp. Range  
-55 to +200  
TJ, T  
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristics  
Symbol  
Max.  
Unit  
Thermal Resistance:  
Junction-to-Case  
35  
R
qJC  
0C/W  
TO-39* (TO-205AD)  
2N3498, 2N3499  
Junction-to-Ambient  
175  
R
qJA  
*Electrical characteristics for “L” suffix devices are identical to the “non L” corresponding devices  
1) Derate linearly 5.71 W/0C for TA > 250C  
2N3500, 2N3501  
2) Derate linearly 28.6 W/0C for TC > 250C  
*See appendix A for  
package outline  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 250C unless otherwise noted)  
Characteristics  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
IC = 10 mAdc  
100  
150  
Vdc  
2N3498, 2N3499  
2N3500, 2N3501  
V(BR)  
CEO  
Collector-Base Cutoff Current  
VCB = 50 Vdc  
VCB = 75 Vdc  
VCB = 100 Vdc  
VCB = 150 Vdc  
50  
50  
10  
10  
hAdc  
hAdc  
mAdc  
mAdc  
2N3498, 2N3499  
2N3500, 2N3501  
2N3498, 2N3499  
2N3500, 2N3501  
ICBO  
Emitter-Base Cutoff Current  
VEB = 4.0 Vdc  
VEB = 6.0 Vdc  
25  
10  
hAdc  
mAdc  
IEBO  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
120101  
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803  
Page 1 of 2  
12

中文翻译

下载PDF

JAN2N3498 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANTXV2N3498L MICROSEMI

类似代替

 NPN SILICON TRANSISTOR
JANS2N3498L MICROSEMI

类似代替

 NPN SILICON TRANSISTOR
JANS2N3498 MICROSEMI

类似代替

 NPN SILICON TRANSISTOR

与JAN2N3498相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JAN2N3498L MICROSEMI

获取价格

 		NPN SILICON TRANSISTOR
JAN2N3499 MICROSEMI

获取价格

 		NPN SILICON TRANSISTOR
JAN2N3499L MICROSEMI

获取价格

 		NPN SILICON TRANSISTOR
JAN2N3499U4 MICROSEMI

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), NPN,
JAN2N3500 MICROSEMI

获取价格

 		NPN SILICON TRANSISTOR
JAN2N3500L MICROSEMI

获取价格

 		NPN SILICON TRANSISTOR
JAN2N3501 MICROSEMI

获取价格

 		NPN SILICON TRANSISTOR
JAN2N3501L MICROSEMI

获取价格

 		NPN SILICON TRANSISTOR
JAN2N3501U4 MICROSEMI

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), NPN,
JAN2N3501UB MICROSEMI

获取价格

 		RADIATION HARDENED NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR

与JAN2N3498相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证