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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> JAN2N3467L
JAN2N3467L PDF预览

JAN2N3467L

更新时间： 2024-10-05 12:46:27
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体开关晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 59K
描述
PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR

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JAN2N3467L 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：BCY
包装说明：TO-5, 3 PIN针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.17
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
JEDEC-95代码：TO-5JESD-30 代码：O-MBCY-W3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
认证状态：Qualified参考标准：MIL-19500/348E
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：175 MHz
最大关闭时间（toff）：90 ns最大开启时间（吨）：40 ns
Base Number Matches：1

JAN2N3467L 数据手册

 浏览型号JAN2N3467L的Datasheet PDF文件第2页 
TECHNICAL DATA  
PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR  
Qualified per MIL-PRF-19500/ 348  
Devices  
Qualified Level  
JAN  
JANTX  
JANTXV  
2N3467  
2N3467L  
2N3468  
2N3468L  
MAXIMUM RATINGS  
2N3467  
2N3467L 2N3468L  
2N3468  
Ratings  
Symbol  
Unit  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
40  
50  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
TO-39* (TO-205AD)  
2N3467, 2N3468  
40  
50  
5.0  
1.0  
Total Power Dissipation  
@ TA = +250C(1)  
@ TC = +250C(2)  
1.0  
5.0  
W
W
0C  
PT  
Operating & Storage Junction Temperature Range  
-55 to +175  
Top, T  
stg  
TO-5*  
2N3467L, 2N3468L  
1) Derate linearly 5.71 mW/0C for TA > +250C  
2) Derate linearly 28.6 mW/0C for TC > +250C  
*See appendix A for  
package outline  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Characteristics  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector-Emitter Breakdown Current  
IC = 10 mAdc  
40  
50  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
2N3467, L  
2N3468, L  
V(BR)  
CBO  
Emitter-Base Breakdown Current  
IE = 10 mAdc  
Collector-Emitter Breakdown Current  
IC = 10 mAdc  
V(BR)  
EBO  
5.0  
40  
50  
2N3467, L  
2N3468, L  
V(BR)  
CEO  
Collector-Base Cutoff Current  
VCB = 30 Vdc  
Collector-Emitter Cutoff Current  
VEB = 3.0 Vdc, VCE = 30  
ICBO  
ICEX  
hAdc  
100  
100  
nAdc  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
120101  
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803  
Page 1 of 2  
12

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JAN2N3467L 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANTX2N3467L MICROSEMI

完全替代

 PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR
JANTXV2N3467L MICROSEMI

完全替代

 PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JAN2N3468 MICROSEMI

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 		PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR
JAN2N3468L MICROSEMI

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 		PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR
JAN2N3485A RAYTHEON

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, PNP, Silicon, TO-46,
JAN2N3486A RAYTHEON

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, PNP, Silicon, TO-46,
JAN2N3498 RAYTHEON

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39,
JAN2N3498 MICROSEMI

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 		NPN SILICON TRANSISTOR
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 		NPN SILICON TRANSISTOR
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 		NPN SILICON TRANSISTOR
JAN2N3499U4 MICROSEMI

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), NPN,

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