生命周期: | Obsolete | 包装说明: | S-MSFM-P3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.72 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | HIGH RELIABILITY |
应用: | POWER | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | COMMON ANODE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 1 V |
JEDEC-95代码: | TO-254AA | JESD-30 代码: | S-MSFM-P3 |
最大非重复峰值正向电流: | 300 A | 元件数量: | 2 |
相数: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
最大输出电流: | 15 A | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
认证状态: | Not Qualified | 参考标准: | MIL-19500 |
最大重复峰值反向电压: | 45 V | 最大反向电流: | 1000 µA |
表面贴装: | NO | 技术: | SCHOTTKY |
端子形式: | PIN/PEG | 端子位置: | SINGLE |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
JAN1N6660T1 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 45V V(RRM), Silicon, TO-254AA, | |
JAN1N6661 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, Silicon, DO-35, | |
JAN1N6662 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, Silicon, DO-35, | |
JAN1N6663 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, Silicon, DO-35, | |
JAN1N6663US | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, Silicon, DO-35, | |
JAN1N6664 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1A, 100V V(RRM), | |
JAN1N6664R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1A, 100V V(RRM), | |
JAN1N6665R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1A, 150V V(RRM), | |
JAN1N6666 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1A, 200V V(RRM), | |
JAN1N6666R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1A, 200V V(RRM), |