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JAN1N6767

更新时间： 2024-09-16 20:45:03

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		二极管
页数	文件大小	规格书
1页	87K
描述
Rectifier Diode, 12A, 600V V(RRM),

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JAN1N6767 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.6	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.35 V	最大非重复峰值正向电流：	125 A
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	12 A
最大重复峰值反向电压：	600 V	最大反向恢复时间：	0.06 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

JAN1N6767 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http: //www.microsemi.com

DUAL ULTRAFAST POWER RECTIFIER

Qualified per MIL-PRF-19500/643

DEVICES

LEVELS

JAN

JANTX

JANTXV

1N6766

1N6767

1N6766R

1N6767R

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= +25°C unless otherwise noted) (Per Diode)

Parameters / Test Conditions

Symbol

Value

Unit

Peak Repetitive Reverse Voltage

1N6766, R

1N6767, R

400

600

V_RWM

Vdc

Average Forward Current ⁽¹⁾

Peak Surge Forward Current

T_C= +100°C

I_F

125

1.8

Adc

I_FSM

R_θjc

A(pk)

°C/W

Thermal Resistance - Junction to Case

TO-254

Note:

(1) Derate @ 240mA/°C above T_C= 100°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= +25°C, unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Symbol

Min.

Max.

Unit

• 1

• 2

• 3

Breakdown Voltage ⁽²⁾

I_R= 10µAdc

1N6766

1N6767

400

600

V_BR

Vdc

1N6766, 1N6767

Forward Voltage ⁽²⁾

I_F= 6Adc

I_F= 12Adc

V_F1

V_F2

1.35

1.55

Vdc

µAdc

mAdc

Reverse Leakage Current

V_R= 320V

V_R= 480V

1N6766

1N6767

I_R1

• 1

• 2

• 3

1N6766R, 1N6767R

Reverse Leakage Current

V_R= 320V, T_C= +100°C

V_R= 480V, T_C= +100°C

1N6766

1N6767

I_R2

1.0

Reverse Recovery Time

I_F= 1.0A, di/dt = 50A/µs

t_rr

Junction Capacitance

V_R= 5Vdc, f = 1.0MHz

C_J

300

Note:

(2) Pulse Test; 300µS, duty cycle ≤ 2%

T4-LDS-0019 Rev. 1 (072045)

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