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JAN1N6778

更新时间： 2024-11-28 19:43:23

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1页	86K
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 15A, 400V V(RRM), Silicon, TO-257, TO-257, 2 PIN

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JAN1N6778 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-257
包装说明：	TO-257, 2 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.59
应用：	ULTRA FAST RECOVERY POWER	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.4 V	JEDEC-95代码：	TO-257
JESD-30 代码：	R-XSFM-P2	JESD-609代码：	e0
最大非重复峰值正向电流：	140 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	15 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Qualified	参考标准：	MIL-19500/647
最大重复峰值反向电压：	400 V	最大反向恢复时间：	0.06 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

JAN1N6778 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http: //www.microsemi.com

ULTRAFAST POWER RECTIFIER

Qualified per MIL-PRF-19500/647

DEVICES

LEVELS

JAN

1N6778

1N6779

JANTX

JANTXV

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= +25°C unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Symbol

Value

Unit

1N6778

1N6779

400

600

Peak Repetitive Reverse Voltage

V_RWM

Vdc

Average Forward Current ⁽¹⁾

Peak Surge Forward Current

T_C= +100°C

I_F

140

1.8

Adc

A (pk)

°C/W

I_FSM

R_θJC

Thermal Resistance Junction to Case

TO-257

(2 Pin Version)

Note:

(1) Derate at 300mA/°C above T_C= +100°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= +25°C, unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Symbol

Min.

Max.

Unit

Breakdown Voltage

I_R= 10µA ⁽²⁾

1N6778

1N6779

400

600

V_BR

Vdc

• 1

• 2

Forward Voltage

I_F= 8Adc ⁽²⁾

V_F1

V_F2

1.40

1.60

Vdc

I_F= 15Adc ⁽²⁾

Reverse Leakage Current

V_R= 320V ⁽²⁾

1N6778

1N6779

I_R1

µAdc

V_R= 480V ⁽²⁾

Reverse Leakage Current

V_R= 320V ⁽²⁾

V_R= 480V ⁽²⁾

T_C= +100°C

1N6778

1N6779

I_R2

1.0

Reverse Recovery Time

I_F= 0.5, I_RM= 1.0, I_RR= 0.25

t_rr

Junction Capacitance

V_R= 5Vdc, f = 1.0MHz

C_J

300

Notes:

(2) Pulse test, 300µs, Duty Cycle ≤ 2%

T4-LDS-0017 Rev. 1 (072043)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JAN1N6805UEG2	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214BA, PLASTIC, DO-214BA, 2 PIN
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JAN1N6807UEG2	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214BA, PLASTIC, DO-214BA, 2 PIN
JAN1N6808UEG2	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214BA, PLASTIC, DO-214BA, 2 PIN
JAN1N6809UEG2	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-214BA, PLASTIC, DO-214BA, 2 PIN
JAN1N6810UEG2	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214BA, PLASTIC, DO-214BA, 2 PIN
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JAN1N6845	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 30A, 45V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, C
JAN1N6845U3	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 30A, 45V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, C
JAN1N6857-1	MICROSEMI	获取价格	Schottky Barrier Diode Qualified per MIL-PRF-19500/444

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