是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.73 |
其他特性: | HIGH RELIABILITY | 应用: | POWER |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | COMMON ANODE, 2 ELEMENTS |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 1.3 V | JEDEC-95代码: | TO-254AA |
JESD-30 代码: | S-CSFM-P3 | 最大非重复峰值正向电流: | 175 A |
元件数量: | 2 | 相数: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 最大输出电流: | 17.5 A |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 认证状态: | Qualified |
参考标准: | MIL-19500 | 最大重复峰值反向电压: | 100 V |
最大反向电流: | 500 µA | 表面贴装: | NO |
技术: | SCHOTTKY | 端子形式: | PIN/PEG |
端子位置: | SINGLE | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
JAN1N7043CCT1 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 17.5A, 100V V(RRM), Silicon, TO-254AA, | |
JAN1N7066 | SSDI |
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10 A, 100 V Hyperfast Recovery Rectifier | |
JAN1N7066US | SSDI |
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10 A, 100 V Hyperfast Recovery Rectifier | |
JAN1N7067 | SSDI |
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10 A, 150 V Hyperfast Recovery Rectifier | |
JAN1N7067US | SSDI |
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10 A, 150 V Hyperfast Recovery Rectifier | |
JAN1N7068 | SSDI |
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10 A, 200 V Hyperfast Recovery Rectifier | |
JAN1N7068US | SSDI |
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10 A, 200 V Hyperfast Recovery Rectifier | |
JAN1N746 | MICROSEMI |
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SILICON 400 mW ZENER DIODES | |
JAN1N746-1 | MICROSEMI |
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SILICON 400 mW ZENER DIODES | |
JAN1N746A | MICROSEMI |
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SILICON 400 mW ZENER DIODES |