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| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.73 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 应用： | POWER | 外壳连接： | CATHODE |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1 V |
| JESD-30 代码： | R-CBCC-N3 | 最大非重复峰值正向电流： | 250 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 15 A |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 认证状态： | Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500 | 最大重复峰值反向电压： | 100 V |
| 最大反向电流： | 15000 µA | 表面贴装： | YES |
| 技术： | SCHOTTKY | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | BOTTOM | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN1N6845 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 30A, 45V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, C |
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| JAN1N6845U3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 30A, 45V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, C |
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| JAN1N6857-1 | MICROSEMI |
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Schottky Barrier Diode Qualified per MIL-PRF-19500/444 |
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| JAN1N6857-1 | CDI-DIODE |
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SCHOTTKY BARRIER DIODES |
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| JAN1N6857-1E3 | MICROSEMI |
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Schottky Barrier Diode Qualified per MIL-PRF-19500/444 |
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| JAN1N6858-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Schottky Barrier Diode Qualified per MIL-PRF-19500/444 |
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| JAN1N6858-1 | CDI-DIODE |
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SCHOTTKY BARRIER DIODES |
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| JAN1N6858-1E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Schottky Barrier Diode Qualified per MIL-PRF-19500/444 |
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| JAN1N6858UR-1 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.075A, Silicon, DO-213AA, HERMETIC SEALED, LEADLESS |
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| JAN1N7037CCU1 | MICROSEMI |
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SILICON DUAL SCHOTTKY POWER RECTIFIER 35 Amp, 100 Volt |
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