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JAN1N6772R

更新时间： 2024-09-16 20:23:23

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		局域网功效二极管
页数	文件大小	规格书
1页	88K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 8A, Silicon, TO-257AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-257AA, 3 PIN

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JAN1N6772R 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-257AA	包装说明：	R-MSFM-P3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.28	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	应用：	EFFICIENCY
外壳连接：	ISOLATED	配置：	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	TO-257AA	JESD-30 代码：	R-MSFM-P3
最大非重复峰值正向电流：	60 A	元件数量：	2
相数：	1	端子数量：	3
最大输出电流：	8 A	封装主体材料：	METAL
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
认证状态：	Qualified	参考标准：	MIL-19500/645
最大反向恢复时间：	0.06 µs	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	SINGLE
Base Number Matches：	1

JAN1N6772R 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http: //www.microsemi.com

DUAL ULTRAFAST POWER RECTIFIER

Qualified per MIL-PRF-19500/645

DEVICES

LEVELS

JAN

JANTX

JANTXV

1N6772

1N6773

1N6772R

1N6773R

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= +25°C unless otherwise noted) (Per Diode)

Parameters / Test Conditions

Symbol

Value

Unit

Peak Repetitive Reverse Voltage

I_D= 5µAdc

1N6772, R

1N6773, R

400

600

V_RWM

Vdc

Average Forward Current ⁽¹⁾

Peak Surge Forward Current

T_C= +100°C

I_F

Adc

I_FSM

R_θjc

2.5

A(pk)

°C/W

TO-257

Thermal Resistance - Junction to Case

Note:

(1) Derate linearly @ 160mA/°C above T_C= 100°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= +25°C, unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Symbol

Min.

Max.

Unit

Breakdown Voltage ⁽²⁾

1N6772, R

1N6773, R

400

600

• 1

• 2

• 3

V_BR

Vdc

Forward Voltage

I_F= 4Adc ⁽²⁾

V_F1

V_F2

1.45

1.60

Vdc

µAdc

I_F= 8Adc ⁽²⁾

Reverse Leakage Current

V_R= 320V ⁽²⁾

1N6772, R

1N6773, R

I_R1

V_R= 480V ⁽²⁾

• 1

• 2

• 3

Reverse Leakage Current

V_R= 320V ⁽²⁾, T_C= +100°C

V_R= 480V ⁽²⁾, T_C= +100°C

1N6772, R

1N6773, R

I_R2

500

Reverse Recovery Time

I_F= 1A, di/dt = 50A/µs

t_rr

Junction Capacitance

V_R= 5Vdc, f = 1.0MHz

C_J

200

Note:

(2) Pulse Test; 300µS, duty cycle ≤ 2%

T4-LDS-0018 Rev. 1 (072044)

Page 1 of 1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JAN1N6773	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 8A, Silicon, TO-257AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-257
JAN1N6773R	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 8A, Silicon, TO-257AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-257
JAN1N6773R	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 8A, Silicon, TO-257AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-257
JAN1N6774	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 15A, Silicon, TO-257, SIMILAR TO TO-257, 2 PIN
JAN1N6775	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 15A, 100V V(RRM), Silicon, TO-257, SIMILAR TO TO-257,
JAN1N6776	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 15A, 150V V(RRM), Silicon, TO-257, SIMILAR TO TO-257,
JAN1N6777	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 15A, 200V V(RRM), Silicon, TO-257, SIMILAR TO TO-257,
JAN1N6778	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 15A, 400V V(RRM), Silicon, TO-257, TO-257, 2 PIN
JAN1N6805UEG2	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214BA, PLASTIC, DO-214BA, 2 PIN
JAN1N6806UEG2	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214BA, PLASTIC, DO-214BA, 2 PIN

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