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JAN1N6666

更新时间： 2024-11-05 19:07:03

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		二极管
页数	文件大小	规格书
12页	113K
描述
Rectifier Diode, 1A, 200V V(RRM),

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JAN1N6666 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.49
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.5 V
最大非重复峰值正向电流：	100 A	最高工作温度：	200 °C
最大输出电流：	1 A	最大重复峰值反向电压：	200 V
最大反向恢复时间：	0.035 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

JAN1N6666 数据手册

* METRIC

The documentation and process conversion measures

necessary to comply shall with this document shall be completed

by 3 March 2011.

MIL-PRF-19500/594B

3 December 2010

SUPERSEDING

MIL-PRF-19500/594A

3 July 1998

PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET

* SEMICONDUCTOR DEVICE, DIODE, SILICON, POWER RECTIFIER,

ULTRA FAST RECOVERY, LOW LEAKAGE, TYPES 1N6664 THROUGH 1N6666, AND

1N6664R THROUGH 1N6666R, JAN, JANTX, JANTXV, AND JANS

This specification is approved for use by all Departments

and Agencies of the Department of Defense.

The requirements for acquiring the product described herein shall consist of

this specification sheet and MIL-PRF-19500.

1. SCOPE

1.1 Scope. This specification covers the performance requirements for a silicon, fast recovery power rectifier

diodes. Four levels of product assurance are provided for each device type as specified in MIL-PRF-19500.

1.2 Physical dimensions. See figure 1 (TO-257AA).

1.3 Maximum ratings (for each leg).

Types

V_R

I_O(1)

I_FSM

t_rr

T_STG

and

V_RWM

T_C= +100°C

t_p= 8.3 ms

and

T_OP

V dc

100

150

200

A dc

1N6664,

+200°C

-65°C

1N6664R

1N6665,

1N6665R

1N6666,

1N6666R

(1) Derate linearly, 100 mA/°C from +100°C to +200°C.

Storage temperature: T_STG= -65°C to +200°C.

Operating temperature: T_J= -65°C to +200°C.

Barometric pressure reduced (altitude operation): 8 mm Hg.

R_θ_JC= 2.5°C/W maximum.

* Comments, suggestions, or questions on this document should be addressed to DLA Land and Maritime,

ATTN: VAC, P.O. Box 3990, Columbus, OH 43218-3990, or emailed to Semiconductor@dscc.dla.mil. Since contact

information can change, you may want to verify the currency of this address information using the ASSIST Online

database at https://assist.daps.dla.mil .

AMSC N/A

FSC 5961

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与JAN1N6666相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JAN1N6666R	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1A, 200V V(RRM),
JAN1N6672R	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 15A, 300V V(RRM), Silicon, TO-254AA, TO-254, 3 PIN
JAN1N6674R	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 15A, 500V V(RRM), Silicon, TO-254AA, TO-254, 3 PIN
JAN1N6677UR-1	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-213AA, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
JAN1N6702	CDI-DIODE	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, Silicon, HERMETIC SEALED, SIMILAR TO DO
JAN1N6702	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 40V V(RRM), Silicon,
JAN1N6702US	CDI-DIODE	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, Silicon, HERMETIC SEALED, D-5C, 2 PIN
JAN1N6761-1	CDI-DIODE	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, Silicon, DO-41, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
JAN1N6761-1	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-41, HERMETIC SEALED PAC
JAN1N6761UR-1	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, Silicon, DO-213AB, HERMETIC SEALED PACKAGE-2

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