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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DO-41 |
| 包装说明： | HERMETIC SEALED PACKAGE-2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.21 |
| 其他特性： | METALLURGICALLY BONDED | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JEDEC-95代码： | DO-41 |
| JESD-30 代码： | O-XALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最大输出电流： | 1 A | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500/586 | 最大重复峰值反向电压： | 100 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN1N6761UR-1 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, Silicon, DO-213AB, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 |
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| JAN1N6763 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 12A, 100V V(RRM), Silicon, TO-254AA, TO-254AA, 3 PIN |
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| JAN1N6763R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 12A, 100V V(RRM), Silicon, TO-254AA, TO-254AA, 3 PIN |
|
| JAN1N6764 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 12A, 150V V(RRM), Silicon, TO-254AA, TO-254AA, 3 PIN |
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| JAN1N6764R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 12A, 150V V(RRM), Silicon, TO-254AA, TO-254AA, 3 PIN |
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| JAN1N6765R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 12A, 200V V(RRM), Silicon, TO-254AA, TO-254AA, 3 PIN |
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| JAN1N6766 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 12A, 400V V(RRM), |
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| JAN1N6766R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 12A, 400V V(RRM), |
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| JAN1N6767 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 12A, 600V V(RRM), |
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| JAN1N6768 | INFINEON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 8A, Silicon, TO-257AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-257 |
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