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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN1N6661 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, Silicon, DO-35, |
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| JAN1N6662 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, Silicon, DO-35, |
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| JAN1N6663 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, Silicon, DO-35, |
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| JAN1N6663US | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, Silicon, DO-35, |
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| JAN1N6664 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1A, 100V V(RRM), |
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| JAN1N6664R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1A, 100V V(RRM), |
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| JAN1N6665R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1A, 150V V(RRM), |
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| JAN1N6666 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1A, 200V V(RRM), |
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| JAN1N6666R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1A, 200V V(RRM), |
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| JAN1N6672R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 15A, 300V V(RRM), Silicon, TO-254AA, TO-254, 3 PIN |
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英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
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