JAN1N6117

更新时间： 2024-09-15 11:20:59

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美高森美 - MICROSEMI		瞬态抑制器
页数	文件大小	规格书
2页	110K
描述
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

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JAN1N6117 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	O-LALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.43	其他特性：	LOW IMPEDANCE
最小击穿电压：	27 V	击穿电压标称值：	30 V
外壳连接：	ISOLATED	最大钳位电压：	43.5 V
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JESD-30 代码：	O-LALF-W2
JESD-609代码：	e0	最大非重复峰值反向功率耗散：	500 W
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	BIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	1.5 W
认证状态：	Qualified	参考标准：	MIL-19500/516
最大重复峰值反向电压：	22.8 V	子类别：	Transient Suppressors
表面贴装：	NO	技术：	AVALANCHE
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JANS1N6117	MICROSEMI	完全替代	BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
1N6117	MICROSEMI	完全替代	BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JAN1N6117A	MICROSEMI	获取价格	BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
JAN1N6117A	SEMTECH	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 22.8V V(RWM), Bidirectional, 2 Element, Silicon, HER
JAN1N6117A	SENSITRON	获取价格	500 W Transient Voltage Suppressor
JAN1N6117AUS	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 22.8V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon,
JAN1N6117AUS	SEMTECH	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 22.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HE
JAN1N6117AUS	SENSITRON	获取价格	500 W Transient Voltage Suppressor SM
JAN1N6117US	SEMTECH	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 22.8V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon
JAN1N6118	MICROSEMI	获取价格	BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
JAN1N6118	SEMTECH	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 25.1V V(RWM), Bidirectional, 2 Element, Silicon, HER
JAN1N6118A	SEMTECH	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 25.1V V(RWM), Bidirectional, 2 Element, Silicon, HER