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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.42 | Is Samacsys： | N |
| 最小击穿电压： | 35.1 V | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值反向功率耗散： | 500 W |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性： | BIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 3 W |
| 认证状态： | Qualified | 参考标准： | MIL-19500/516 |
| 最大重复峰值反向电压： | 29.7 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | AVALANCHE | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN1N6120AUS | SENSITRON |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 29.7V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, |
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| JAN1N6120AUS | SEMTECH |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 29.7V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HE |
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| JAN1N6120US | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 29.7V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, |
|
| JAN1N6120US | SEMTECH |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 29.7V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon |
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| JAN1N6121 | MICROSEMI |
获取价格 |
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS |
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| JAN1N6121 | SEMTECH |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 32.7V V(RWM), Bidirectional, 2 Element, Silicon, HER |
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| JAN1N6121A | MICROSEMI |
获取价格 |
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS |
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| JAN1N6121A | SENSITRON |
获取价格 |
500 W Transient Voltage Suppressor |
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| JAN1N6121AUS | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 32.7V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, |
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| JAN1N6121AUS | SENSITRON |
获取价格 |
500 W Transient Voltage Suppressor SM |
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