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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | MELF |
| 包装说明： | O-MELF-R2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.43 |
| 最小击穿电压： | 44.7 V | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码： | O-MELF-R2 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值反向功率耗散： | 500 W |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 极性： | BIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 5 W |
| 认证状态： | Qualified | 参考标准： | MIL-19500/516 |
| 最大重复峰值反向电压： | 35.8 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | AVALANCHE | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WRAP AROUND | 端子位置： | END |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| JANTXV1N6122US | MICROSEMI |
功能相似  |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, Bidirectional, 1 Element, Silicon, MICRO MINIATURE, |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN1N6123 | MICROSEMI |
获取价格 |
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS |
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| JAN1N6123 | SEMTECH |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 38.8V V(RWM), Bidirectional, 2 Element, Silicon, HER |
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| JAN1N6123A | MICROSEMI |
获取价格 |
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS |
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| JAN1N6123A | SEMTECH |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 38.8V V(RWM), Bidirectional, 2 Element, Silicon, HER |
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| JAN1N6123A | SENSITRON |
获取价格 |
500 W Transient Voltage Suppressor |
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| JAN1N6123AUS | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
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| JAN1N6123AUS | SEMTECH |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 38.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HE |
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| JAN1N6123AUS | SENSITRON |
获取价格 |
500 W Transient Voltage Suppressor SM |
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| JAN1N6123US | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 38.8V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, |
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| JAN1N6123US | SEMTECH |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 38.8V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon |
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