5秒后页面跳转
JAN1N6123US PDF预览

JAN1N6123US

更新时间: 2024-09-16 13:08:59
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 110K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 38.8V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon,

JAN1N6123US 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:MELF
包装说明:O-MELF-R2针数:2
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.43
最小击穿电压:48.5 V外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:O-MELF-R2
JESD-609代码:e0最大非重复峰值反向功率耗散:500 W
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):225
极性:BIDIRECTIONAL最大功率耗散:5 W
认证状态:Qualified参考标准:MIL-19500/516
最大重复峰值反向电压:38.8 V表面贴装:YES
技术:AVALANCHE端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WRAP AROUND端子位置:END
处于峰值回流温度下的最长时间:20Base Number Matches:1

JAN1N6123US 数据手册

 浏览型号JAN1N6123US的Datasheet PDF文件第2页 

与JAN1N6123US相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JAN1N6124 MICROSEMI

获取价格

BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
JAN1N6124 SEMTECH

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 42.6V V(RWM), Bidirectional, 2 Element, Silicon, HER
JAN1N6124A MICROSEMI

获取价格

BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
JAN1N6124A SEMTECH

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 42.6V V(RWM), Bidirectional, 2 Element, Silicon, HER
JAN1N6124A SENSITRON

获取价格

500 W Transient Voltage Suppressor
JAN1N6124AUS SEMTECH

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 42.6V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HE
JAN1N6124AUS MICROSEMI

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 42.6V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon,
JAN1N6124AUS SENSITRON

获取价格

500 W Transient Voltage Suppressor SM
JAN1N6124US SEMTECH

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 42.6V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon
JAN1N6125 MICROSEMI

获取价格

BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS