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JANS1N6117 PDF预览

JANS1N6117

更新时间: 2024-09-14 05:11:39
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美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器二极管局域网
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2页 110K
描述
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

JANS1N6117 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
包装说明:O-LALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.42
Is Samacsys:N其他特性:HIGH RELIABILITY
最小击穿电压:28.45 V外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:O-LALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散:500 W元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
极性:BIDIRECTIONAL最大功率耗散:2 W
认证状态:Qualified最大重复峰值反向电压:22.8 V
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

JANS1N6117 数据手册

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JANS1N6117 替代型号

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