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JANS1N6119US

更新时间: 2024-09-14 13:08:59
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美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 110K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 27V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon,

JANS1N6119US 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:O-MELF-R2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.77
最小击穿电压:34.2 V击穿电压标称值:36 V
外壳连接:ISOLATED最大钳位电压:52 V
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:O-MELF-R2
JESD-609代码:e0最大非重复峰值反向功率耗散:500 W
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:BIDIRECTIONAL最大功率耗散:5 W
认证状态:Qualified参考标准:MIL-19500/516
最大重复峰值反向电压:27 V子类别:Transient Suppressors
表面贴装:YES技术:AVALANCHE
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WRAP AROUND
端子位置:END处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

JANS1N6119US 数据手册

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