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JANS1N6117US

更新时间: 2024-09-14 13:01:31
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美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 110K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, Bidirectional, 1 Element, Silicon,

JANS1N6117US 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
包装说明:O-MELF-R2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.42最小击穿电压:28.5 V
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-MELF-R2JESD-609代码:e0
最大非重复峰值反向功率耗散:500 W元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):225极性:BIDIRECTIONAL
最大功率耗散:5 W认证状态:Qualified
表面贴装:YES技术:AVALANCHE
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WRAP AROUND
端子位置:END处于峰值回流温度下的最长时间:20
Base Number Matches:1

JANS1N6117US 数据手册

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