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JAN1N6118

更新时间: 2024-11-06 21:03:47
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商升特 - SEMTECH 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
3页 378K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 25.1V V(RWM), Bidirectional, 2 Element, Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2

JAN1N6118 技术参数

生命周期:Active包装说明:O-LALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.35其他特性:HIGH RELIABILITY
最小击穿电压:31.4 V击穿电压标称值:33 V
外壳连接:ISOLATED最大钳位电压:47.985 V
配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e2最大非重复峰值反向功率耗散:500 W
元件数量:2端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM极性:BIDIRECTIONAL
最大功率耗散:1.5 W认证状态:Qualified
参考标准:MIL-19500/516最大重复峰值反向电压:25.1 V
最大反向电流:1 µA子类别:Transient Suppressors
表面贴装:NO技术:ZENER
端子面层:TIN COPPER端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

JAN1N6118 数据手册

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500W BI-POLARITY TRANSIENT  
VOLTAGE SUPPRESSORS  
1N6102  
thru  
1N6137  
January 16, 1998  
TEL:805-498-2111 FAX:805-498-3804 WEB:http://www.semtech.com  
Available in JAN, JANTX, JANTXV and JANS versions  
© 1997 SEMTECH CORP.  
652 MITCHELL ROAD NEWBURY PARK CA 91320  

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