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JAN1N6117A

更新时间: 2024-09-16 11:20:59
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美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器二极管局域网
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2页 110K
描述
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

JAN1N6117A 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:O-XALF-W2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.84
Is Samacsys:N最小击穿电压:28.5 V
击穿电压标称值:30 V外壳连接:ISOLATED
最大钳位电压:41.6 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-XALF-W2最大非重复峰值反向功率耗散:500 W
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:BIDIRECTIONAL最大功率耗散:3 W
认证状态:Qualified参考标准:MIL-19500/516
最大重复峰值反向电压:23 V子类别:Transient Suppressors
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

JAN1N6117A 数据手册

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JAN1N6117A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
1N6117A MICROSEMI

完全替代

BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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JAN1N6117US SEMTECH

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Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 22.8V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon
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500 W Transient Voltage Suppressor
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