JAN1N6118

更新时间： 2024-11-09 11:20:59

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		瞬态抑制器二极管局域网
页数	文件大小	规格书
2页	110K
描述
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

JAN1N6118 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	O-LALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.43	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW IMPEDANCE	最小击穿电压：	29.7 V
击穿电压标称值：	33 V	外壳连接：	ISOLATED
最大钳位电压：	47.7 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	JESD-609代码：	e0
最大非重复峰值反向功率耗散：	500 W	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	BIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	1.5 W	认证状态：	Qualified
参考标准：	MIL-19500/516	最大重复峰值反向电压：	25 V
子类别：	Transient Suppressors	表面贴装：	NO
技术：	AVALANCHE	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JANTX1N6118	MICROSEMI	完全替代	BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
JANS1N6118	MICROSEMI	完全替代	BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
1N6118	MICROSEMI	完全替代	BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JAN1N6118A	SEMTECH	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 25.1V V(RWM), Bidirectional, 2 Element, Silicon, HER
JAN1N6118A	MICROSEMI	获取价格	BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
JAN1N6118A	SENSITRON	获取价格	500 W Transient Voltage Suppressor
JAN1N6118AUS	SEMTECH	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 25.1V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HE
JAN1N6118AUS	SENSITRON	获取价格	500 W Transient Voltage Suppressor SM
JAN1N6118US	SEMTECH	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 25.1V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon
JAN1N6119	MICROSEMI	获取价格	BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
JAN1N6119	SEMTECH	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 27.4V V(RWM), Bidirectional, 2 Element, Silicon, HER
JAN1N6119A	MICROSEMI	获取价格	BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
JAN1N6119A	SENSITRON	获取价格	500 W Transient Voltage Suppressor