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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | DO-213AA | 包装说明： | O-LELF-R2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.70 |
| 风险等级： | 5.33 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 0.7 V | JEDEC-95代码： | DO-213AA |
| JESD-30 代码： | O-LELF-R2 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 4 A | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最大输出电流： | 0.15 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 最大功率耗散： | 0.5 W | 认证状态： | Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500/241 | 最大重复峰值反向电压： | 125 V |
| 最大反向恢复时间： | 3 µs | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WRAP AROUND | 端子位置： | END |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN1N3595R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 150V V(RRM), Silicon, |
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| JAN1N3595UR-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon, DO-213AA, GLASS, SIMILAR TO DO-213AA, 2 PIN |
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| JAN1N3595US | SENSITRON |
获取价格 |
Small Signal/Switching Diodes |
|
| JAN1N3595US-1 | SENSITRON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 125V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, D-5D, MEL |
|
| JAN1N3595X | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 150V V(RRM), Silicon, |
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| JAN1N3600 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-7, SIMILAR TO DO-7, 2 PIN |
|
| JAN1N3611 | MICROSEMI |
获取价格 |
MILITARY RECTIFIERS |
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| JAN1N3611EG1 | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, EG1, 2 PIN |
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| JAN1N3611JANTX | MICROSEMI |
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VOIDLESS-HERMETICALLY-SEALED STANDARD RECOVERY GLASS RECTIFIERS |
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| JAN1N3611US | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, MELF-2 |
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