Datasheet > JAN1N3595US-1

JAN1N3595US-1

更新时间： 2024-11-08 14:51:43

品牌	Logo	应用领域
SENSITRON		/
页数	文件大小	规格书
2页	215K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 125V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, D-5D, MELF-2

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

JAN1N3595US-1 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	O-LELF-R2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.62
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	O-LELF-R2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	0.15 A	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
认证状态：	Not Qualified	参考标准：	MIL-19500
最大重复峰值反向电压：	125 V	表面贴装：	YES
端子形式：	WRAP AROUND	端子位置：	END
Base Number Matches：	1

JAN1N3595US-1 数据手册

1N3595-1, 1N3595US-1

SENSITRON

VF CONTROLLED DIODE

SEMICONDUCTOR

TECHNICAL DATA

DATA SHEET 5086, REV. A.1

AV AI L AB L E AS

1N, JAN, JANTX, JANTXV

JANS

JAN EQUIVALENT*

SJ*, SX*, SV*, SS*

V_FControlled Diodes

Qualified per MIL-PRF-19500/241

DESCRIPTION:

This voidless hermetically sealed Vf controlled diode is military qualified per MIL-PRF-19500/241

and is targeted for space, commerical and military aircraft, military vehicles, shipboard markets

and all high reliability applications.

FEATURES / BENEFITS:

MAXIMUM RATINGS:



Hermetic, non-cavity glass package

Category I Metallurgically bonded

All devices are 100% hot solder dipped

JAN/ JANTX/ JANTXV available per MIL-PRF-

19500/241



Operating and Storage Temperature: -65^oC to

+175^oC

Forward Voltage (max): 1Vdc @ 200mA,

.92Vdc @ 100mA

Reverse Leakage Current (max): 1 nAd c @ V_R



“JANS Plus” removes atypical/out of family V_F

ELECTRICAL CHARACTERISTICS:

Type

V_R

I_FSM

T_STG, T_J

^oC

R_JL

L=.375

^oC/W

250

R_JEC

L=0

R_JX

Tp=1s

V(pk)

125

150

mA(pk)

500

^oC/W

245

1N3595,

1N3595US-1

-65 to +175

Maximum ratings T_A=+25^oC

*Sensitron space equivalent diodes are manufactured and screened to MIL-PRF-19500 flow and guidelines starting from

wafer fabrication through assembly and testing using our internal specification.

Phone (631) 586 7600 Fax (631) 242 9798  www.sensitron.com  sales@sensitron.com

中文翻译

下载PDF

与JAN1N3595US-1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JAN1N3595X	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 150V V(RRM), Silicon,
JAN1N3600	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-7, SIMILAR TO DO-7, 2 PIN
JAN1N3611	MICROSEMI	获取价格	MILITARY RECTIFIERS
JAN1N3611EG1	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, EG1, 2 PIN
JAN1N3611JANTX	MICROSEMI	获取价格	VOIDLESS-HERMETICALLY-SEALED STANDARD RECOVERY GLASS RECTIFIERS
JAN1N3611US	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, MELF-2
JAN1N3612	MICROSEMI	获取价格	MILITARY RECTIFIERS
JAN1N3612EG1	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, EG1, 2 PIN
JAN1N3612JANTX	MICROSEMI	获取价格	VOIDLESS-HERMETICALLY-SEALED STANDARD RECOVERY GLASS RECTIFIERS
JAN1N3613	MICROSEMI	获取价格	MILITARY RECTIFIERS

与JAN1N3595US-1相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

21
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

20
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

44
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

38

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

JAN1N3595US-1

JAN1N3595US-1 技术参数

JAN1N3595US-1 数据手册

与JAN1N3595US-1相关器件

与JAN1N3595US-1相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

JAN1N3595US-1

JAN1N3595US-1 技术参数

JAN1N3595US-1 数据手册

与JAN1N3595US-1相关器件

与JAN1N3595US-1相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？