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JAN1N3611US

更新时间: 2024-11-08 13:08:55
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美高森美 - MICROSEMI 整流二极管军事
页数 文件大小 规格书
2页 57K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, MELF-2

JAN1N3611US 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:MELF
包装说明:O-LELF-R2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.32
Is Samacsys:N其他特性:METALLURGICALLY BONDED
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:O-LELF-R2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
最大输出电流:1 A封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
参考标准:MIL-19500/286表面贴装:YES
端子面层:TIN LEAD端子形式:WRAP AROUND
端子位置:END处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

JAN1N3611US 数据手册

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