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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.8 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | GERMANIUM |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 最大功率耗散： | 0.08 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 80 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.3 µs | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN1N3666-1X | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 80V V(RRM), Germanium, |
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| JAN1N3666-2R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 80V V(RRM), Germanium, |
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| JAN1N3666-2X | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 80V V(RRM), Germanium, |
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| JAN1N3671A | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 800V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN |
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| JAN1N3671A | VISHAY |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 800V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN |
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| JAN1N3671A | MICROSEMI |
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Military Silicon Power Rectifier |
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| JAN1N3671AR | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 800V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO-4, 1 P |
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| JAN1N3671RA | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, |
|
| JAN1N3671RA | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 800V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN |
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| JAN1N3671RA | INFINEON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 800V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN |
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