5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-MUPM-D1 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.74 |
| 应用： | POWER | 外壳连接： | CATHODE |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 2.3 V |
| JEDEC-95代码： | DO-203AA | JESD-30 代码： | O-MUPM-D1 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 240 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 12 A | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 认证状态： | Not Qualified | 参考标准： | MIL-19500/260G |
| 最大重复峰值反向电压： | 1000 V | 最大反向电流： | 5 µA |
| 最大反向恢复时间： | 5 µs | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN1N3673AR | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO-4, 1 |
|
| JAN1N3673RA | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, |
|
| JAN1N3673RA | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN |
|
| JAN1N3673RA | INFINEON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN |
|
| JAN1N3766 | MICROSEMI |
获取价格 |
Military Silicon Power Rectifier |
|
| JAN1N3766R | MICROSEMI |
获取价格 |
Military Silicon Power Rectifier |
|
| JAN1N3768 | MICROSEMI |
获取价格 |
Military Silicon Power Rectifier |
|
| JAN1N3768R | MICROSEMI |
获取价格 |
Military Silicon Power Rectifier |
|
| JAN1N3821 | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON 1 WATT ZENER DIODES |
|
| JAN1N3821A | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON 1 WATT ZENER DIODES |
|
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
