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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN1N3666-2X | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 80V V(RRM), Germanium, |
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| JAN1N3671A | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 800V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN |
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| JAN1N3671A | VISHAY |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 800V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN |
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| JAN1N3671A | MICROSEMI |
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Military Silicon Power Rectifier |
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| JAN1N3671AR | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 800V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO-4, 1 P |
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| JAN1N3671RA | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, |
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| JAN1N3671RA | VISHAY |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 800V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN |
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| JAN1N3671RA | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 800V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN |
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| JAN1N3672A | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 900V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN |
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| JAN1N3672RA | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 900V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN |
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