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JAN1N3666-1X

更新时间: 2024-11-08 20:48:47
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 37K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 80V V(RRM), Germanium,

JAN1N3666-1X 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.72外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:GERMANIUM
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
最大功率耗散:0.08 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:80 V最大反向恢复时间:0.3 µs
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

JAN1N3666-1X 数据手册

  

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