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IXTY2P50PA

更新时间： 2024-05-14 22:08:00

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力特 - LITTELFUSE		/
页数	文件大小	规格书
6页	478K
描述
IXTY2P50PA是一款通过AEC-Q101认证并符合PPAP要求的-500 V、-2 A、PolarTM P通道增强模式功率 MOSFET，采用TO-252 (DPAK) 封装。 P通道MOS

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IXTY2P50PA 数据手册

IXTY2P50PA

MOSFET Datasheet

Fig. 7. Input Admittance

Fig. 8. Transconductance

4.5

T_J= - 40 ºC

25 ºC

V_GS- Volts

-2.4

-2

±.5

T_J= 125 ºC

25 ºC

2.5

-1.6

-1.2

-0.8

-0.4

125 ºC

- 40 ºC

1.5

0.5

-0.4

-0.8

-1.2

-1.6

-2

-2.4

I_D- Amperes

-±.2

-±.6

-4.0

-4.4

-4.8

-5.2

-5.6

-6.0

Fig. 10. Gate Charge

Q_G- NanoCoulombs

Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode

V_SD- Volts

-8

-7

-6

-5

-4

-±

-2

-1

-10

-9

-8

-7

-6

-5

-4

-±

-2

-1

T_J= 125 ºC

T_J= 25 ºC

V_DS= -250 V

I _D= -1 A

I _G= -1 mA

0.0

-0.4 -0.8 -1.2 -1.6 -2.0 -2.4 -2.8 -±.2

Fig. 11. Capacitance

Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area

1,000

100

10.0

R_DS(on)Limit

C_iss

100 µs

1 ms

C_oss

1.0

T_J= 150 ºC

T_C= 25 ºC

Single Pulse

10 ms

C_rss

100 ms

f = 1 MHz

0.1

1,000

-5

-10 -15 -20 -25 -±0 -±5 -40

V_DS- Volts

100

V_DS- Volts

Speciﬁcations are subject to change without notice.

Revised: XZ 07/12/2023

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