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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.71 | 雪崩能效等级（Eas）： | 435 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 7.6 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 7.6 A | 最大漏源导通电阻： | 0.2 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXKP20N60C5M | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.6A I(D), 600V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IXKP24N60C5 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 600V, 0.165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IXKP24N60C5 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXKP24N60C5M | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8.5A I(D), 600V, 0.165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IXKP24N60C5M | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8.5A I(D), 600V, 0.165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IXKP30N60C5 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IXKP30N60C5M | IXYS |
获取价格 |
Transistor |
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| IXKP35N60C5 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 600V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IXKP35N60C5 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 600V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IXKP35N60C5M | IXYS |
获取价格 |
Transistor |
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