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IXFT150N30X3HV

更新时间： 2024-01-10 04:33:49

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力特 - LITTELFUSE		/
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描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXFT150N30X3HV 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.37
Base Number Matches：	1

IXFT150N30X3HV 数据手册

IXFT150N30X3HV IXFH150N30X3

IXFK150N30X3

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max

g_fs

V_DS= 10V, I_D= 60A, Note 1

Gate Input Resistance

120

R_Gi

1.2



C_iss

C_oss

C_rss

13.1

2.0

V_GS= 0V, V_DS= 25V, f = 1MHz

1.7

Effective Output Capacitance

C_o(er)

C_o(tr)

700

Energy related

Time related

V_GS= 0V

_DS= 0.8 • V_DSS

2700

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

Resistive Switching Times

_GS= 10V, V_DS= 0.5 • V_DSS, I_D= 0.5 • I_D25

187

R_G= 5 (External)

Q_g(on)

Q_gs

254

V_GS= 10V, V_DS= 0.5 • V_DSS, I_D= 0.5 • I_D25

Q_gd

R_thJC

R_thCS

0.14 C/W

TO-247

TO-264

0.21

0.15

C/W

Source-Drain Diode

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max

I_S

V_GS= 0V

150

I_SM

V_SD

Repetitive, pulse Width Limited by T_JM

I_F= I_S, V_GS= 0V, Note 1

600

1.4

t_rr

Q_RM

I_RM

167

1100

I_F= 75A, -di/dt = 100A/μs

nC

V_R= 100V

Note 1. Pulse test, t  300s, duty cycle, d 2%.

IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.

IXYS MOSFETs and IGBTs are covered

by one or more of the following U.S. patents: 4,860,072 5,017,508

4,881,106 5,034,796

4,835,592 4,931,844

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,381,025

5,486,715

6,162,665

6,259,123B1

6,306,728B1

6,404,065B1

6,534,343

6,583,505

6,683,344

6,710,405B2 6,759,692

6,710,463

6,727,585

7,005,734B2 7,157,338B2

7,063,975B2

6,771,478B2 7,071,537

123 4 5 6 7

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