IXFH12N90P

更新时间： 2024-02-12 08:42:01

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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Polar Power MOSFET HiPerFET

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IXFH12N90P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.71	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	900 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	12 A
最大漏极电流 (ID)：	12 A	最大漏源导通电阻：	0.9 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	380 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	24 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFH12N90P 数据手册

IXFH12N90P IXFV12N90P

IXFV12N90PS

Fig. 7. Input Admittance

Fig. 8. Transconductance

T_J= - 40ºC

T_J= 125ºC

25ºC

- 40ºC

25ºC

125ºC

4.5

0.3

5.0

5.5

6.0

6.5

7.0

7.5

8.0

8.5

1.1

V_GS- Volts

I_D- Amperes

Fig. 9. Forward Voltage Drop of

Intrinsic Diode

Fig. 10. Gate Charge

V_DS= 450V

_D= 6A

_G= 10mA

T_J= 125ºC

T_J= 25ºC

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

V_SD- Volts

Q_G- NanoCoulombs

Fig. 12. Maximum Transient Thermal

Impedance

Fig. 11. Capacitance

10,000

1,000

100

1.00

0.10

0.01

iss

oss

= 1 MHz

rss

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

Pulse Width - Seconds

V_DS- Volts

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

IXYS REF: F_12N90P(65)10-22-08

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