5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 存储 > SRAM> IS61LV25616-7B
IS61LV25616-7B PDF预览

IS61LV25616-7B

更新时间： 2024-09-27 23:01:19
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 存储内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
11页 96K
描述
256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY

阅读下载

中文翻译

获取价格

IS61LV25616-7B 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：8 X 10 MM, MINI, BGA-48
针数：48Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.8最长访问时间：7 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PBGA-B48
JESD-609代码：e0长度：10 mm
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：16湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：48
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：256KX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LFBGA封装等效代码：BGA48,6X8,30
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：PARALLEL电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.35 mm
最大待机电流：0.01 A最小待机电流：3.14 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.26 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.63 V最小供电电压 (Vsup)：3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：BALL
端子节距：0.75 mm端子位置：BOTTOM
宽度：8 mmBase Number Matches：1

IS61LV25616-7B 数据手册

 浏览型号IS61LV25616-7B的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IS61LV25616-7B的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IS61LV25616-7B的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IS61LV25616-7B的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IS61LV25616-7B的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IS61LV25616-7B的Datasheet PDF文件第7页 
®
IS61LV25616  
256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS  
CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY  
ISSI  
AUGUST 2000  
FEATURES  
DESCRIPTION  
The ISSI IS61LV25616 is a high-speed, 4,194,304-bit static  
RAM organized as 262,144 words by 16 bits. It is fabricated  
using ISSI'shigh-performanceCMOStechnology. Thishighly  
reliable process coupled with innovative circuit design tech-  
niques, yields high-performance and low power consumption  
devices.  
• High-speed access time:  
— 7, 8, 10, 12, and 15 ns  
• CMOS low power operation  
• Low stand-by power:  
— Less than 5 mA (typ.) CMOS stand-by  
• TTL compatible interface levels  
• Single 3.3V power supply  
WhenCEisHIGH(deselected),thedeviceassumesastandby  
mode at which the power dissipation can be reduced down  
with CMOS input levels.  
• Fully static operation: no clock or refresh  
required  
Easy memory expansion is provided by using Chip Enable  
and Output Enable inputs, CE and OE. The active LOW Write  
Enable(WE)controlsbothwritingandreadingofthememory.A  
databyteallowsUpperByte(UB)andLowerByte(LB)access.  
• Three state outputs  
• Data control for upper and lower bytes  
• Industrial temperature available  
The IS61LV25616 is packaged in the JEDEC standard  
44-pin 400-mil SOJ, 44-pin TSOP Type II, 44-pin LQFP and  
48-pin Mini BGA (8mm x 10mm).  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
256K x 16  
MEMORY ARRAY  
A0-A17  
DECODER  
VCC  
GND  
I/O0-I/O7  
Lower Byte  
I/O  
DATA  
COLUMN I/O  
CIRCUIT  
I/O8-I/O15  
Upper Byte  
CE  
OE  
WE  
CONTROL  
CIRCUIT  
UB  
LB  
ISSI reserves the right to make changes to its products at any time without notice in order to improve design and supply the best possible product. We assume no responsibility for any  
errors which may appear in this publication. © Copyright 2000, Integrated Silicon Solution, Inc.  
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774  
1
Rev. B  
09/29/00  
1234567...11

中文翻译

下载PDF

与IS61LV25616-7B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IS61LV25616-7K ISSI

获取价格

 		256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
IS61LV25616-7LQ ISSI

获取价格

 		256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
IS61LV25616-7T ISSI

获取价格

 		256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
IS61LV25616-8B ICSI

获取价格

 		256 X 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
IS61LV25616-8B ISSI

获取价格

 		256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
IS61LV25616-8BI ICSI

获取价格

 		256 X 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
IS61LV25616-8BI ISSI

获取价格

 		256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
IS61LV25616-8K ICSI

获取价格

 		256 X 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
IS61LV25616-8K ISSI

获取价格

 		256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
IS61LV25616-8KI ICSI

获取价格

 		256 X 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY

与IS61LV25616-7B相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证