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IS61LV25616-8TI

更新时间： 2024-11-15 21:55:03

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矽成 - ICSI		/
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10页	460K
描述
256 X 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY

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IS61LV25616-8TI 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	TSOP, TSOP44,.46,32	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.88	最长访问时间：	8 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
JESD-609代码：	e0	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
端子数量：	44	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	256KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP
封装等效代码：	TSOP44,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
最大待机电流：	0.015 A	最小待机电流：	3 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.36 mA
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL

IS61LV25616-8TI 数据手册

IS61LV25616

256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS

CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY

FEATURES

DESCRIPTION

The ICSI IS61LV25616 is a high-speed, 4,194,304-bit static

RAM organized as 262,144 words by 16 bits. It is fabricated

using ICSI's high-performance CMOS technology. This highly

reliable process coupled with innovative circuit design

techniques, yields high-performance and low power consump-

tion devices.

High-speed access time: 8, 10, 12, and 15 ns

CMOS low power operation

TTL compatible interface levels

Single 3.3V ± 10% power supply

Fully static operation: no clock or refresh

required

When CE is HIGH (deselected), the device assumes a standby

mode at which the power dissipation can be reduced down with

CMOS input levels.

Three state outputs

Data control for upper and lower bytes

Industrial temperature available

Easy memory expansion is provided by using Chip Enable and

Output Enable inputs, CE and OE. The active LOW Write

Enable (WE) controls both writing and reading of the memory.

A data byte allows Upper Byte (UB) and Lower Byte (LB)

access.

The IS61LV25616 is packaged in the JEDEC standard

44-pin 400mil SOJ, 44 pin 400mil TSOP-2 and 48-pin 6*8 TF-

BGA.

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

256K x 16

MEMORY ARRAY

A0-A17

DECODER

VCC

GND

I/O0-I/O7

Lower Byte

I/O

DATA

COLUMN I/O

CIRCUIT

I/O8-I/O15

Upper Byte

CONTROL

CIRCUIT

ICSI reserves the right to make changes to its products at any time without notice in order to improve design and supply the best possible product. We assume no responsibility for any errors

Integrated Circuit Solution Inc.

SR040-0C

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