IS61LV25616AL-10B

更新时间： 2024-11-15 22:20:07

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美国芯成 - ISSI		/
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256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY

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IS61LV25616AL-10B 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	BGA
包装说明：	LFBGA, BGA48,6X8,30	针数：	48
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.5
最长访问时间：	10 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PBGA-B48	JESD-609代码：	e0
长度：	10 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	256KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LFBGA
封装等效代码：	BGA48,6X8,30	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.35 mm
最大待机电流：	0.01 A	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.63 V	最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.75 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

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IS61LV25616AL

256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS

CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY

ISSI

FEBRUARY2003

DESCRIPTION

FEATURES

The ISSI IS61LV25616AL is a high-speed, 4,194,304-bit

static RAM organized as 262,144 words by 16 bits. It is

fabricated using ISSI's high-performance CMOS technol-

ogy. This highly reliable process coupled with innovative

circuitdesigntechniques,yieldshigh-performanceandlow

powerconsumptiondevices.

• High-speed access time:

— 10, 12 ns

• CMOS low power operation

• Low stand-by power:

— Less than 5 mA (typ.) CMOS stand-by

• TTL compatible interface levels

• Single 3.3V power supply

When CE is HIGH (deselected), the device assumes a

standby mode at which the power dissipation can be

reduced down with CMOS input levels.

• Fully static operation: no clock or refresh

required

Easy memory expansion is provided by using Chip Enable

and Output Enable inputs, CE and OE. The active LOW

Write Enable (WE) controls both writing and reading of the

memory. A data byte allows Upper Byte (UB) and Lower

Byte (LB) access.

• Three state outputs

• Data control for upper and lower bytes

• Industrial temperature available

The IS61LV25616AL is packaged in the JEDEC standard

44-pin400-milSOJ,44-pinTSOPTypeII,44-pinLQFPand

48-pin Mini BGA (8mm x 10mm).

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

256K x 16

MEMORY ARRAY

A0-A17

DECODER

VDD

GND

I/O0-I/O7

Lower Byte

I/O

DATA

CIRCUIT

COLUMN I/O

I/O8-I/O15

Upper Byte

CONTROL

CIRCUIT

without notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to

obtain the latest version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774

Rev. A

02/21/03

12 3 4 5 6 7...12

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