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IS61C6416-20T

更新时间: 2024-11-19 22:48:03
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 490K
描述
64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

IS61C6416-20T 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP2
包装说明:PLASTIC, TSOP2-44针数:44
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A991.B.2.B
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.27
最长访问时间:20 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G44JESD-609代码:e0
长度:18.41 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:16
湿度敏感等级:3功能数量:1
端口数量:1端子数量:44
字数:65536 words字数代码:64000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:64KX16
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装等效代码:TSOP44,.46,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
最大待机电流:0.01 A最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.235 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

IS61C6416-20T 数据手册

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