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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSOP2 |
| 包装说明： | PLASTIC, TSOP2-44 | 针数： | 44 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.B |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.75 |
| 最长访问时间： | 10 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G44 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 18.41 mm | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 16 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 44 |
| 字数： | 65536 words | 字数代码： | 64000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 64KX16 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP2 |
| 封装等效代码： | TSOP44,.46,32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最大待机电流： | 0.01 A | 最小待机电流： | 4.75 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.3 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 10.16 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IS61C6416-12K | ISSI |
获取价格 |
64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
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| IS61C6416-12KI | ISSI |
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64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
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| IS61C6416-12T | ISSI |
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64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
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| IS61C6416-12TI | ISSI |
获取价格 |
64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
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| IS61C6416-15K | ISSI |
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64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
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| IS61C6416-15KI | ISSI |
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64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
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| IS61C6416-15T | ISSI |
获取价格 |
64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
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| IS61C6416-15TI | ISSI |
获取价格 |
64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
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| IS61C6416-20K | ISSI |
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64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
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| IS61C6416-20KI | ISSI |
获取价格 |
64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
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