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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOJ |
| 包装说明： | 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44 | 针数： | 44 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.B |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.77 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 12 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-J44 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 28.58 mm |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 16 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 44 | 字数： | 65536 words |
| 字数代码： | 64000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 64KX16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | YES | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOJ | 封装等效代码： | SOJ44,.44 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 3.76 mm | 最大待机电流： | 0.01 A |
| 最小待机电流： | 4.75 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.28 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | J BEND | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 10.16 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IS61C6416-12KI | ISSI |
获取价格 |
64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
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| IS61C6416-12T | ISSI |
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64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
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| IS61C6416-12TI | ISSI |
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64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
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| IS61C6416-15K | ISSI |
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64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
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| IS61C6416-15KI | ISSI |
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64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
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| IS61C6416-15T | ISSI |
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64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
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| IS61C6416-15TI | ISSI |
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64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
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| IS61C6416-20K | ISSI |
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64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
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| IS61C6416-20KI | ISSI |
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64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
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| IS61C6416-20T | ISSI |
获取价格 |
64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
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