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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSOP2 |
| 包装说明： | PLASTIC, TSOP2-44 | 针数： | 44 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.B |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.3 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 15 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-G44 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 18.41 mm |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 16 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 44 | 字数： | 65536 words |
| 字数代码： | 64000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 64KX16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | YES | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP2 | 封装等效代码： | TSOP44,.46,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 最大待机电流： | 0.01 A |
| 最小待机电流： | 4.5 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.26 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 宽度： | 10.16 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IDT71016S15PH | IDT |
功能相似  |
CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit) |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IS61C6416-15TI | ISSI |
获取价格 |
64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
|
| IS61C6416-20K | ISSI |
获取价格 |
64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
|
| IS61C6416-20KI | ISSI |
获取价格 |
64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
|
| IS61C6416-20T | ISSI |
获取价格 |
64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
|
| IS61C6416-20TI | ISSI |
获取价格 |
64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
|
| IS61C6416AL | ISSI |
获取价格 |
64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
|
| IS61C6416AL-12K | ISSI |
获取价格 |
64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
|
| IS61C6416AL-12KI | ISSI |
获取价格 |
64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
|
| IS61C6416AL-12KI-TR | ISSI |
获取价格 |
IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ |
|
| IS61C6416AL-12KLI | ISSI |
获取价格 |
64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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