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IS41C44054-50TI

更新时间： 2024-01-27 12:44:34

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
17页	137K
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Fast Page DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, TSOP2-26/24

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IS41C44054-50TI 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSOP24/26,.46
针数：	26	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.35	Is Samacsys：	N
访问模式：	FAST PAGE	最长访问时间：	50 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G24	JESD-609代码：	e0
长度：	17.14 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM	内存宽度：	4
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	24	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	4MX4	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP24/26,.46	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	NO	最大待机电流：	0.001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

IS41C44054-50TI 数据手册

IS41C4405X

IS41LV4405X SERIES

ISSI

ELECTRICALCHARACTERISTICS⁽¹⁾

(Recommended Operating Conditions unless otherwise noted.)

Symbol Parameter

Test Condition

VCC

Speed Min. Max. Unit

I^IL

Input Leakage Current

Any input 0V ≤ VIN ≤ Vcc

–5

2.4

—

µA

Other inputs not under test = 0V

IIO

Output Leakage Current

OutputHighVoltageLevel

OutputLowVoltageLevel

Standby Current: TTL

Output is disabled (Hi-Z)

0V ≤ VOUT ≤ Vcc

V^OH

V^OL

I^CC1

IOH = –5.0 mA, Vcc = 5V

IOH = –2.0 mA, Vcc = 3.3V

—

0.4

IOL = 4.2 mA, Vcc = 5V

IOL = 2 mA, Vcc = 3.3V

RAS, CAS ≥ VIH Commercial

3.3V

0.5

—

Industrial

3.3V

ICC2

I^CC3

Standby Current: CMOS

RAS, CAS ≥ VCC – 0.2V

3.3V

—

0.5

—

Operating Current:

RAS, CAS,

Address Cycling, tRC = tRC (min.)

-50

-60

—

120

110

Random Read/Write^(2,3)

AveragePowerSupplyCurrent

ICC4

Operating Current:

RAS= VIL, CAS ≥ VIH

-50

-60

—

Fast Page Mode^(2,3,4)

AveragePowerSupplyCurrent

tRC = tRC (min.)

Refresh Current:

RAS Cycling, CAS ≥ VIH

tRC = tRC (min.)

-50

-60

—

120

110

RAS-Only^(2,3)

AveragePowerSupplyCurrent

ICC5

Refresh Current:

CBR^(2,3,5)

RAS, CAS Cycling

tRC = tRC (min.)

-50

-60

—

120

110

AveragePowerSupplyCurrent

Notes:

1. An initial pause of 200 µs is required after power-up followed by eight RAS refresh cycles (RAS-Only or CBR) before proper device

operation is assured. The eight RAS cycles wake-up should be repeated any time the t^REFrefresh requirement is exceeded.

2. Dependent on cycle rates.

3. Specified values are obtained with minimum cycle time and the output open.

4. Column-address is changed once each Fast Page cycle.

5. Enables on-chip refresh and address counters.

Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774

Rev. B

01/31/01

1 2 3 456 7 8...17

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IS41C44054-60J-TR	ISSI	获取价格	DRAM
IS41C44054-60T	ISSI	获取价格	Fast Page DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, TSOP2-26/24
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