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IS41C44054-50TI

更新时间： 2024-01-12 15:20:17

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
17页	137K
描述
Fast Page DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, TSOP2-26/24

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IS41C44054-50TI 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSOP24/26,.46
针数：	26	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.35	Is Samacsys：	N
访问模式：	FAST PAGE	最长访问时间：	50 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G24	JESD-609代码：	e0
长度：	17.14 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM	内存宽度：	4
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	24	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	4MX4	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP24/26,.46	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	NO	最大待机电流：	0.001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

IS41C44054-50TI 数据手册

IS41C4405X

IS41LV4405X SERIES

ISSI

AC CHARACTERISTICS (Continued)^{(1,2,3,4,5,6)}

(Recommended Operating Conditions unless otherwise noted.)

-50

-60

Symbol

tRWL

Parameter

Min.

Max.

—

Min.

Max.

—

Units

Write Command to RAS Lead Time⁽¹⁷⁾

Write Command to CAS Lead Time^{(17, 21)}

Write Command Setup Time^{(14, 17, 20)}

Data-in Hold Time (referenced to RAS)

tCWL

—

tWCS

—

tDHR

—

t^ACH

Column-Address Setup Time to CAS

—

Precharge during WRITE Cycle

t^OEH

OE Hold Time from WE during

—

READ-MODIFY-WRITE cycle⁽¹⁸⁾

tDS

Data-In Setup Time^{(15, 22)}

Data-In Hold Time^{(15, 22)}

READ-MODIFY-WRITE Cycle Time

108

—

133

—

tDH

tRWC

tRWD

RAS to WE Delay Time during

READ-MODIFY-WRITE Cycle⁽¹⁴⁾

tCWD

tAWD

tPC

CAS to WE Delay Time^{(14, 20)}

—

Column-Address to WE Delay Time⁽¹⁴⁾

Fast Page Mode READ or WRITE

Cycle Time

tRASP

tCPA

RAS Pulse Width

—

100K

—

100K

—

Access Time from CAS Precharge⁽¹⁵⁾

READ-WRITE Cycle Time⁽²⁴⁾

Data Output Hold after CAS LOW

tPRWC

tCOH

tOFF

Output Buffer Turn-Off Delay from

CAS or RAS^{(13,15,19, 24)}

tWHZ

tCSR

tCHR

tORD

Output Disable Delay from WE

—

CAS Setup Time (CBR REFRESH)^{(20, 25)}

CAS Hold Time (CBR REFRESH)^{( 21, 25)}

OE Setup Time prior to RAS during

HIDDEN REFRESH Cycle

tREF

Auto Refresh Period

2,048 Cycles

4,096 Cycles

—

Transition Time (Rise or Fall)^{(2, 3)}

AC TEST CONDITIONS

Output load: Two TTL Loads and 50 pF (Vcc = 5.0V 10ꢀ)

One TTL Load and 50 pF (Vcc = 3.3V 10ꢀ)

Input timing reference levels: VIH = 2.4V, VIL = 0.8V (Vcc = 5.0V 10ꢀ)ꢁ

VIH = 2.0V, VIL = 0.8V (Vcc = 3.3V 10ꢀ)

Output timing reference levels: VOH = 2.0V, VOL = 0.8V (Vcc = 5V 10ꢀ, 3.3V 10ꢀ)

Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774

Rev. B

01/31/01

1...4 5 678 9 10...17

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