5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 暂无类别数据> IRLL014TRPBF
IRLL014TRPBF PDF预览

IRLL014TRPBF

更新时间： 2024-10-02 11:10:23
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 174K
描述
Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRLL014TRPBF 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Transferred
零件包装代码：TO-261AA包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.17
Samacsys Confidence：4Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：258526Samacsys Pin Count：4
Samacsys Part Category：MOSFET (N-Channel)Samacsys Package Category：SOT223 (3-Pin)
Samacsys Footprint Name：SOT-223 (HIGH VOLTAGE)Samacsys Released Date：2019-01-31 18:57:56
Is Samacsys：N其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：100 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：2.7 A最大漏源导通电阻：0.2 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-261AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：22 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRLL014TRPBF 数据手册

 浏览型号IRLL014TRPBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRLL014TRPBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRLL014TRPBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRLL014TRPBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRLL014TRPBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRLL014TRPBF的Datasheet PDF文件第7页 
IRLL014, SiHLL014  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
• Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
60  
Definition  
• Surface Mount  
RDS(on) (Ω)  
VGS = 5.0 V  
0.20  
• Available in Tape and Reel  
• Dynamic dV/dt Rating  
• Logic-Level Gate Drive  
• RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V  
• Fast Switching  
Qg (Max.) (nC)  
Qgs (nC)  
8.4  
3.5  
Q
gd (nC)  
6.0  
Configuration  
Single  
• Ease of Paralleling  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
D
DESCRIPTION  
SOT-223  
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and  
cost-effectiveness.  
D
G
S
D
The SOT-223 package is designed for surface-mounting  
using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques.  
Its unique package design allows for easy automatic  
pick-and-place as with other SOT or SOIC packages but  
has the added advantage of improved thermal performace  
due to an enlarged tab for heatsinking. Power dissipation of  
greater than 1.25 W is possible in a typical surface mount  
application.  
G
S
N-Channel MOSFET  
ORDERING INFORMATION  
Package  
SOT-223  
SOT-223  
Lead (Pb)-free and Halogen-free  
SiHLL014-GE3  
IRLL014PbF  
SiHLL014-E3  
IRLL014  
SiHLL014TR-GE3  
IRLL014TRPbFa  
SiHLL014T-E3a  
IRLL014TRa  
Lead (Pb)-free  
SnPb  
SiHLL014  
SiHLL014Ta  
Note  
a. See device orientation.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C, unless otherwise noted)  
PARAMETER  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
SYMBOL  
LIMIT  
60  
10  
2.7  
1.7  
UNIT  
VDS  
VGS  
V
T
C = 25 °C  
Continuous Drain Current  
VGS at 10 V  
ID  
T
C = 100 °C  
A
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
22  
Linear Derating Factor  
0.025  
0.017  
100  
2.7  
0.31  
3.1  
W/°C  
Linear Derating Factor (PCB Mount)e  
Single Pulse Avalanche Energyb  
Repetitive Avalanche Currenta  
EAS  
IAR  
EAR  
mJ  
A
mJ  
Repetitive Avalanche Energya  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation (PCB Mount)e  
Peak Diode Recovery dV/dtc  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
PD  
W
V/ns  
°C  
2.0  
4.5  
dV/dt  
TJ, Tstg  
- 55 to + 150  
300d  
for 10 s  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. VDD = 25 V, starting TJ = 25 °C, L = 16 mH, Rg = 25 Ω, IAS = 2.7 A (see fig. 12).  
c. ISD ≤ 10 A, dI/dt ≤ 90 A/μs, VDD ≤ VDS, TJ ≤ 150 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 91319  
S10-1257-Rev. C, 31-May-10  
www.vishay.com  
1
1234567...9

中文翻译

下载PDF

IRLL014TRPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTF3055-100T1G ONSEMI

功能相似

 Power MOSFET 3.0 Amps, 60 Volts
NDT014L FAIRCHILD

功能相似

 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
STN3NF06L STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-CHANNEL 60V - 0.07ohm - 4A SOT-223 STripFET

与IRLL014TRPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRLL014TRPBFA VISHAY

获取价格

 		Power MOSFET
IRLL024N INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRLL024NPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRLL024NQ INFINEON

获取价格

 		HEXFET㈢ Power MOSFET
IRLL024NQPBF INFINEON

获取价格

 		暂无描述
IRLL024NQTR INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 55V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRLL024NTR INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 55V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRLL024NTRPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET® Power MOSFET
IRLL024Z INFINEON

获取价格

 		AUTOMOTIVE MOSFET
IRLL024ZPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET㈢ Power MOSFET

与IRLL014TRPBF相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证