是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.71 |
雪崩能效等级(Eas): | 120 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 55 V |
最大漏极电流 (ID): | 4.4 A | 最大漏源导通电阻: | 0.065 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-261AA |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G4 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 4 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 12 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRLL024NTRPBF | INFINEON |
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HEXFET® Power MOSFET | |
IRLL024Z | INFINEON |
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AUTOMOTIVE MOSFET | |
IRLL024ZPBF | INFINEON |
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HEXFET㈢ Power MOSFET | |
IRLL024ZTR | INFINEON |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 5A I(D), 55V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o | |
IRLL024ZTRPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 55V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- | |
IRLL110 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.54ohm, Id=1.5A) | |
IRLL110 | VISHAY |
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Power MOSFET | |
IRLL110, SiHLL110 | VISHAY |
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Power MOSFET | |
IRLL110PBF | VISHAY |
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Power MOSFET | |
IRLL110PBF | INFINEON |
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HEXFET㈢ Power MOSFET |