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IRLL024NTRPBF

更新时间： 2024-02-05 10:31:08
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
8页 150K
描述
HEXFET® Power MOSFET

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IRLL024NTRPBF 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：LEAD FREE PACKAGE-4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：1.58Samacsys Confidence：3
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：999231
Samacsys Pin Count：4Samacsys Part Category：MOSFET (N-Channel)
Samacsys Package Category：SOT223 (3-Pin)Samacsys Footprint Name：SOT-223_!
Samacsys Released Date：2019-08-17 11:18:11Is Samacsys：N
其他特性：HIGH RELIABILITY雪崩能效等级（Eas）：21 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (ID)：5 A
最大漏源导通电阻：0.1 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-261AAJESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：40 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRLL024NTRPBF 数据手册

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PD - 95221  
IRLL024NPbF  
HEXFET® Power MOSFET  
l Surface Mount  
l Advanced Process Technology  
l Ultra Low On-Resistance  
l Dynamic dv/dt Rating  
l Fast Switching  
l Fully Avalanche Rated  
l Lead-Free  
D
VDSS = 55V  
R
DS(on) = 0.065Ω  
G
ID = 3.1A  
S
Description  
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve  
extremelylow on-resistancepersiliconarea. Thisbenefit,  
combined with the fast switching speed and ruggedized  
device design that HEXFET Power MOSFETs are well  
knownfor,providesthedesignerwithanextremelyefficient  
andreliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications.  
The SOT-223 package is designed for surface-mount  
usingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.  
Its unique package design allows for easy automatic pick-  
and-place as with other SOT or SOIC packages but has  
the added advantage of improved thermal performance  
due to an enlarged tab for heatsinking. Power dissipation  
of 1.0W is possible in a typical surface mount application.  
S O T -223  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
4.4  
3.1  
2.5  
12  
Units  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 25°C  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V**  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V*  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V*  
Pulsed Drain Current   
A
ID @ TA = 70°C  
IDM  
PD @TA = 25°C  
PD @TA = 25°C  
Power Dissipation (PCB Mount)**  
Power Dissipation (PCB Mount)*  
Linear Derating Factor (PCB Mount)*  
Gate-to-Source Voltage  
2.1  
1.0  
8.3  
± 16  
120  
3.1  
W
W
mW/°C  
V
VGS  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy‚  
Avalanche Current  
mJ  
A
IAR  
EAR  
Repetitive Avalanche Energy*  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
0.1  
mJ  
V/ns  
°C  
dv/dt  
TJ, TSTG  
5.0  
Junction and Storage Temperature Range  
-55 to + 150  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Amb. (PCB Mount, steady state)*  
Junction-to-Amb. (PCB Mount, steady state)**  
Typ.  
90  
Max.  
120  
60  
Units  
RθJA  
RθJA  
°C/W  
50  
* When mounted on FR-4 board using minimum recommended footprint.  
** When mounted on 1 inch square copper board, for comparison with other SMD devices.  
www.irf.com  
1
04/27/04  
12345678

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IRLL024NTRPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRLL024NPBF INFINEON

类似代替

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