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IRLL024NQTR PDF预览

IRLL024NQTR

更新时间： 2024-10-02 14:34:03
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 163K
描述
Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 55V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-223, 4 PIN

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IRLL024NQTR 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Active
包装说明：SOT-223, 4 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.71
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：87 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (ID)：3.1 A
最大漏源导通电阻：0.065 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：12 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRLL024NQTR 数据手册

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PD-94152  
AUTOMOTIVE MOSFET  
IRLL024NQ  
Typical Applications  
HEXFET® Power MOSFET  
●
●
●
●
●
Electronic Fuel Injection  
Active Suspension  
Power Doors, Windows & Seats  
Cruise Control  
Air Bags  
D
VDSS = 55V  
Benefits  
R
DS(on) = 0.065Ω  
●
●
●
●
●
●
Advanced Process Technology  
G
Ultra Low On-Resistance  
175°C Operating Temperature  
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
Dynamic dv/dt Rating  
ID = 3.1A  
S
Automotive [Q101] Qualified  
Description  
Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET  
in a SOT-223 package utilizes the lastest processing techniques to achieve  
extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this Automotive  
qualified HEXFET Power MOSFET are a 175°C junction operating temperature,  
fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These benefits  
combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in  
Automotive applications and a wide variety of other applications.  
SOT-223  
The efficient SOT-223 package is designed for surface mount and the enlarged tab  
provides improved thermal characteristics making it ideal in a variety of power  
applications. Power dissipation of 1.0W is possible in a typical surface mount  
application. Available in Tape & Reel.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 70°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V  
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V  
Pulsed Drain Current   
3.1  
2.6  
12  
A
PD @TC = 25°C  
Power Dissipationƒ  
1.3  
8.3  
±16  
87  
W
mW/°C  
V
Linear Derating Factor  
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy„  
Avalanche Current  
mJ  
IAR  
See Fig.16c, 16d, 19, 20  
A
mJ  
V/ns  
°C  
EAR  
Repetitive Avalanche Energy†  
Peak Diode Recovery dv/dt ꢀ  
Junction and Storage Temperature Range  
dv/dt  
TJ, TSTG  
9.9  
-55 to + 175  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
90  
50  
Max.  
120  
60  
Units  
RθJA  
RθJA  
Junction-to-Amb. (PCB Mount, steady state)*  
Junction-to-Amb. (PCB Mount, steady state)**  
°C/W  
* When mounted on FR-4 board using minimum recommended footprint.  
** When mounted on 1 inch square copper board, for comparison with other SMD devices.  
www.irf.com  
1
03/16/01  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRLL024NTR INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 55V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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