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IRLHM620TRPBF

更新时间： 2024-11-16 12:33:27

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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HEXFETPower MOSFET

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IRLHM620TRPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	QFN-8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	15 weeks
风险等级：	1.07	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	雪崩能效等级（Eas）：	120 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	26 A
最大漏极电流 (ID)：	26 A	最大漏源导通电阻：	0.0035 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	S-PDSO-N5
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	5
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	SQUARE
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	37 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	160 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRLHM620TRPBF 数据手册

PD - 97565A

IRLHM620PbF

HEXFET^®Power MOSFET

V_DS

V_GSmax

R_{DS(on) max}

(@V_GS= 4.5V)

2.5

Ω

R_{DS(on) max}

(@V_GS= 2.5V)

3.5

3.3mm x 3.3mm PQFN

Q_{g (typical)}

I_D

(@T_c(Bottom)= 25°C)

Applications

• Battery Operated DC Motor Inverter MOSFET

• Secondary Side Synchronous Rectification MOSFET

FeaturesandBenefits

Features

Benefits

Low R_DSon(<2.5mΩ)

Low Thermal Resistance to PCB (<3.4°C/W)

Low Profile (<1.0mm)

Lower Conduction Losses

Enable better thermal dissipation

results in Increased Power Density

Industry-Standard Pinout

Compatible with Existing Surface Mount Techniques

RoHS Compliant Containing no Lead, no Bromide and no Halogen

MSL1, Industrial Qualification

⇒

Multi-Vendor Compatibility

Easier Manufacturing

Environmentally Friendlier

Increased Reliability

Orderable part number

Package Type

Standard Pack

Note

Form

Tape and Reel

Quantity

4000

IRLHM620TRPBF

IRLHM620TR2PBF

PQFN 3.3mm x 3.3mm

400

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Drain-to-Source Voltage

Max.

Units

V_DS

Gate-to-Source Voltage

±12

Continuous Drain Current, V_GS@ 4.5V

Pulsed Drain Current

@ T_A= 25°C

@ T_A= 70°C

@ T_C(Bottom)= 25°C

@ T_C(Bottom)= 100°C

160

2.7

Power Dissipation

@T_A= 25°C

Power Dissipation

@T_C(Bottom)= 25°C

0.022

-55 to + 150

Linear Derating Factor

Operating Junction and

W/°C

°C

Storage Temperature Range

STG

Notes through ꢀ are on page 8

www.irf.com

11/4/2010

12 3 4 5 6 7 8

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IRLHM630PBF	INFINEON	获取价格	Battery Operated DC Motor Inverter MOSFET
IRLHM630PBF_15	INFINEON	获取价格	Battery Operated DC Motor Inverter MOSFET
IRLHM630TR2PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRLHM630TRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRLHS2242	INFINEON	获取价格	The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim
IRLHS2242PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
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