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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRLHM620TR2PBF
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IRLHM620TR2PBF

更新时间： 2024-09-29 12:33:27
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 222K
描述
HEXFETPower MOSFET

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IRLHM620TR2PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.7Is Samacsys：N
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

IRLHM620TR2PBF 数据手册

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PD - 97565A  
IRLHM620PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
VDS  
20  
12  
V
V
VGS max  
±
5
6
7
8
D
D
D
D
4
3
2
1
G
S
S
S
RDS(on) max  
(@VGS = 4.5V)  
2.5  
m
Ω
Ω
RDS(on) max  
(@VGS = 2.5V)  
3.5  
52  
m
3.3mm x 3.3mm PQFN  
Qg (typical)  
nC  
A
ID  
40  
(@Tc(Bottom) = 25°C)  
Applications  
• Battery Operated DC Motor Inverter MOSFET  
• Secondary Side Synchronous Rectification MOSFET  
FeaturesandBenefits  
Features  
Benefits  
Low RDSon (<2.5mΩ)  
Low Thermal Resistance to PCB (<3.4°C/W)  
Low Profile (<1.0mm)  
Lower Conduction Losses  
Enable better thermal dissipation  
results in Increased Power Density  
Industry-Standard Pinout  
Compatible with Existing Surface Mount Techniques  
RoHS Compliant Containing no Lead, no Bromide and no Halogen  
MSL1, Industrial Qualification  
⇒
Multi-Vendor Compatibility  
Easier Manufacturing  
Environmentally Friendlier  
Increased Reliability  
Orderable part number  
Package Type  
Standard Pack  
Note  
Form  
Tape and Reel  
Tape and Reel  
Quantity  
4000  
IRLHM620TRPBF  
IRLHM620TR2PBF  
PQFN 3.3mm x 3.3mm  
PQFN 3.3mm x 3.3mm  
400  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Drain-to-Source Voltage  
Max.  
20  
Units  
VDS  
V
V
Gate-to-Source Voltage  
±12  
26  
GS  
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V  
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V  
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V  
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V  
Pulsed Drain Current  
I
I
I
I
I
@ TA = 25°C  
D
D
D
D
@ TA = 70°C  
21  
A
@ TC(Bottom) = 25°C  
@ TC(Bottom) = 100°C  
40  
40  
160  
2.7  
37  
DM  
Power Dissipation  
P
P
@TA = 25°C  
D
D
W
Power Dissipation  
@TC(Bottom) = 25°C  
0.022  
-55 to + 150  
Linear Derating Factor  
Operating Junction and  
W/°C  
°C  
T
T
J
Storage Temperature Range  
STG  
Notes  through ꢀ are on page 8  
www.irf.com  
1
11/4/2010  
12345678

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